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Mosfet FDS6900AS

FDS6900AS

Nuevo producto

DUAL MOSFET N

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Información del producto

  • Intensidad Drenador Continua Id: 6.9A
  • Diseño de Transistor: SOIC
  • Disipación de Potencia Pd: 2W
  • Tensión Drenaje-Fuente Vds: 30V
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
  • Núm. de Contactos: 8
  • Resistencia de Activación Rds(on):
  • Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
  • Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (16-Jun-2014)
  • Tensión Umbral Vgs: 1.9V
  • Transistor, Polaridad: Canal N

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FDS6900AS Datasheet

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